原标题：消息称三星1、2代3nm工艺良率仅60%、20%，年内恐大面积更换半导体高管
IT之家11月7日消息，韩媒《时事周刊e》（Sisa Journal e）当地时间今日报道称，三星电子第1、2代3nm工艺（IT之家注：即SF3E-3GAE与SF3-3GAP）目前良率分别为60%和20%左右。
这一水平未达到高通、英伟达等主要潜在客户提出的70%要求，导致三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单，进而影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。
韩媒表示，作为一家某种意义上算是IDM的企业，三星DS部的三大业务部存储器、系统LSI、Foundry实际上环环相扣：
系统LSI设计的自家Exynos处理器如能由Foundry顺利制造，则对外界证明了Foundry的技术水平，这会吸引外部客户选择三星逻辑代工+HBM+先进封装“交钥匙”方案，存储器业务部的先进HBM内存自然不愁销路。
而三星电子目前未能实现这一良性循环，导致半导体业务整体处于危机状态。
▲三星水原总部
韩媒认为三星电子DS部将在集团年度管理层调整中经历高管大洗牌，三大业务部的负责人均可能被更换。同时这一调整预计于本月内进行，早于常例的12月初。
三星电子今年5月出人意料地在年中就更换了DS部总负责人，由全永贤接替庆桂显。
